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IRLZ34NPBF

发布时间:2019/6/12 12:26:00 访问次数:38 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品说明:IRLZ34NPBF

采用TO-220AB封装的55V单N沟道HEXFET功率MOSFET


优点:IRLZ34NPBF

•符合RoHS标准

•低RDS(开启)

•行业领先的质量

•动态dv/dt评级

•快速切换

•完全雪崩额定值

•175°C工作温度

•逻辑电平

制造商 InfineonTechnologies 制造商零件编号 IRLZ34NPBF 描述 MOSFETN-CH55V30ATO-220AB 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 10周 详细描述 通孔-N-沟道-pval-2068-30A(Tc)-68W(Tc)-TO-220AB

一般信息

数据列表 IRLZ34NPbF;
标准包装 1,000 包装 管件 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 HEXFET®


规格

FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 55V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 30A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 35毫欧@16A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 25nC@5V Vgs(最大值) ±16V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF@25V FET功能 - 功率耗散(最大值) 68W(Tc) 工作温度 -55°C~175°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-220AB 封装/外壳 TO-220-3

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