IRLZ34NPBF

产品说明：IRLZ34NPBF

采用TO-220AB封装的55V单N沟道HEXFET功率MOSFET

优点：IRLZ34NPBF

•符合RoHS标准

•低RDS（开启）

•行业领先的质量

•动态dv/dt评级

•快速切换

•完全雪崩额定值

•175°C工作温度

•逻辑电平

制造商 InfineonTechnologies
制造商零件编号 IRLZ34NPBF
描述 MOSFETN-CH55V30ATO-220AB
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 10周
详细描述 通孔-N-沟道-pval-2068-30A（Tc）-68W（Tc）-TO-220AB

一般信息

数据列表 IRLZ34NPBF;

标准包装IRLZ34NPBF-ND;part_id=811725;ref_supplier_id=448;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 1,000
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 HEXFET®

规格

FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 30A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 4V，10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 35毫欧@16A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 2V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 25nC@5V
Vgs（最大值） ±16V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 880pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 68W（Tc）
工作温度 -55°C~175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3