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LMG3410R070氮化镓(GaN)功率级可实现最大可靠性和对任何电源的性能优化

发布时间:2019/6/11 17:57:00 访问次数:58 发布企业:深圳市和谐世家电子有限公司

LMG3410R070 氮化镓 (GaN) 功率级 Texas Instruments 的功率级可实现最大可靠性和对任何电源的性能优化

Texas Instruments LMG3410R070 GaN 功率级的图片的 LMG3410R070 GaN 功率级集成了驱动器和保护功能,使用户能够在大功率电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG3410R070 具有超越硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的固有优势,包括超低输入和输出电容、零反向恢复,可将开关损耗降低多达 80%,并具有低开关节点瞬时振荡,可降低电磁干扰 (EMI)。这些优势可实现密集且高效的拓扑结构,包括图腾柱功率因数校正 (PFC)。

LMG3410R070 通过集成一系列独特的功能来简化设计,最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能,从而为传统的共源共栅 GaN 和独立的 GaN 场效晶体管 (FET) 提供了一种智能替代方案。集成栅极驱动器可实现 100 V/ns ,同时接近零 VDS瞬时振荡,<100 ns 的电流限制,可自我防止意外热击穿事件,过热关闭可防止热失控,系统接口信号提供自我监测功能。

特性 支持高密度电源转换设计: 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有出色的系统性能 低电感 8 mm x 8 mm QFN 封装,易于设计和布局 驱动强度可针对开关性能和 EMI 控制进行调节 数字故障状态输出信号 只需要 +12 V 非稳压电源 TI GaN 工艺通过应用内硬切换任务配置的加速可靠性获得认证 器件选项:锁存过流保护 强大的保护: 不需要外部保护组件 过流保护,响应时间小于 100 ns > 150 V/ns 压摆率抗扰 瞬态过压抗扰 过热保护 所有电源轨具有欠压锁定 (UVLO) 保护 集成栅极驱动器: 零共源电感 MHz 级工作 20 ns 传播延迟 工艺调谐栅极偏置电压提升可靠性 25 V/ns 至 100 V/ns 的用户可调节压摆率 应用 高密度工业和消费电源 多级转换器 太阳能逆变器 工业电机驱动 不间断电源 高压电池充电器

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