LMG3410R070 氮化镓 (GaN) 功率级
Texas Instruments 的功率级可实现最大可靠性和对任何电源的性能优化
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LMG3410R070 GaN 功率级的图片" class="right" height="134" src="https://www.digikey.cn/-/media/Images/Product%20Highlights/T/Texas%20Instruments/LMG3410R070%20GaN%20Power%20Stage/ti-LMG3410R070-gan-power-stage-200.jpg?ts=0fa9f0ee-4095-483e-bb8c-23677f285658&la=zh-CN" width="200" title="Texas Instruments' LMG3410R070 GaN Power Stage" style="float:right;margin:0px 0px 10px 15px;max-width:100%;height:auto;" />的 LMG3410R070 GaN 功率级集成了驱动器和保护功能，使用户能够在大功率电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG3410R070 具有超越硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的固有优势，包括超低输入和输出电容、零反向恢复，可将开关损耗降低多达 80%，并具有低开关节点瞬时振荡，可降低电磁干扰 (EMI)。这些优势可实现密集且高效的拓扑结构，包括图腾柱功率因数校正 (PFC)。
LMG3410R070 通过集成一系列独特的功能来简化设计，最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能，从而为传统的共源共栅 GaN 和独立的 GaN 场效晶体管 (FET) 提供了一种智能替代方案。集成栅极驱动器可实现 100 V/ns ，同时接近零 VDS瞬时振荡，<100 ns 的电流限制，可自我防止意外热击穿事件，过热关闭可防止热失控，系统接口信号提供自我监测功能。
特性
支持高密度电源转换设计：
与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有出色的系统性能
低电感 8 mm x 8 mm QFN 封装，易于设计和布局
驱动强度可针对开关性能和 EMI 控制进行调节
数字故障状态输出信号
只需要 +12 V 非稳压电源
TI GaN 工艺通过应用内硬切换任务配置的加速可靠性获得认证
器件选项：锁存过流保护
强大的保护：
不需要外部保护组件
过流保护，响应时间小于 100 ns
> 150 V/ns 压摆率抗扰
瞬态过压抗扰
过热保护
所有电源轨具有欠压锁定 (UVLO) 保护
集成栅极驱动器：
零共源电感
MHz 级工作 20 ns 传播延迟
工艺调谐栅极偏置电压提升可靠性
25 V/ns 至 100 V/ns 的用户可调节压摆率
应用
高密度工业和消费电源
多级转换器
太阳能逆变器
工业电机驱动
不间断电源
高压电池充电器
