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IRLR8726TRPBF

发布时间:2019/6/11 12:59:00 访问次数:55 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:IRLR8726TRPBF

采用D-Pak封装的30V单N沟道HEXFET功率MOSFET


产品优点:IRLR8726TRPBF

•针对分销合作伙伴提供最广泛的可用性进行了优化

•符合JEDEC标准的产品认证

•针对5V栅极驱动电压进行了优化(称为逻辑电平)

•工业标准表面贴装功率封装

•能够波焊

制造商 InfineonTechnologies 制造商零件编号 IRLR8726TRPBF 描述 MOSFETN-CH30V86ADPAK 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 10周 详细描述 表面贴装-N-沟道-pval-2068-86A(Tc)-75W(Tc)-D-Pak

一般信息

数据列表 IRL(R,U)8726PbF;
标准包装 2,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 HEXFET®


规格

FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 86A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 5.8毫欧@25A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V@50μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 23nC@4.5V Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2150pF@15V FET功能 - 功率耗散(最大值) 75W(Tc) 工作温度 -55°C~175°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 D-Pak 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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