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AO7800

发布时间:2019/6/10 20:31:00 访问次数:58 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





一般说明:AO7800

双N沟道增强模式场效应晶体管

AO7800采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极工作电压低至1.8V,采用小型SOT363封装。它可用于各种应用,包括负载切换,低电流逆变器和低电流DCDC

converter.It是ESD保护。


生命周期:AO7800

量产

欧盟RoHS

欧盟RoHS版本

2011/65/EU

零件编号代码

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描述

TransMOSFETN-CH20V0.9A6引脚SC-70T/R.

分类

二极管,晶体管和晶闸管>FET晶体管>MOSFET

产品面世日期

2005-07-2700:00:00

ECCN

EAR99

供应商笼子代码

6USE7

HTSUSA

8541210095

组态

类别

功率MOSFET

频道模式

增强

频道类型

ñ

每个芯片的元素数量

2

最大漏极源电压

20V

最大栅极源电压

±8V

最大连续漏极电流

0.9A

最大漏极源电阻

300@4.5VmOhm

典型的栅极电荷@Vgs

1.57@4.5VnC

典型输入电容@Vds

101@10VpF

最大功耗

为300mW

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150℃

供应商包装

SC-70

针数

6

PCB

6

包装长度(mm)

2.1

包装宽度(mm)

1.3

包装高度(mm)

0.9

坐式平面高度(mm)

1.1(最大值)

针距(mm)

0.65

包装材料

塑料

安装

表面贴装

封装外形

下载PDF文档

MSL

1

最大回流温度(°C)

245至260

回流焊时间(秒)

10

回流温度资源

下载PDF文档

波浪温度。资源

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铅涂层(电镀)

哑光锡

终端底座材料

制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc. 制造商零件编号 AO7800 描述 MOSFET2N-CH20VSC70-6 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 26周 详细描述 2-个-N-沟道(双)-Mosfet-阵列-20V-900mA-300mW-表面贴装-SC-70-6 一般信息 数据列表 AO7800;
SC70-6LPkgDrawing;
标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-阵列 系列 -
规格 FET类型 2个N沟道(双) FET功能 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) 20V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 900mA 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 300毫欧@900mA,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 1.9nC@4.5V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF@10V 功率-最大值 300mW 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 SC-70-6

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