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AOD407

发布时间:2019/6/10 20:31:00 访问次数:58 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





一般说明:AOD407

P沟道增强模式场效应晶体管

AOD407采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和低电压栅极电阻。具有优异的耐热性在DPAK封装中,该器件非常适合高电流负载应用。

-RoHS兼容

-无卤素*


生命周期:AOD407

量产

欧盟RoHS

是豁免

欧盟RoHS版本

2011/65/EU

零件编号代码

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描述

TransMOSFETP-CH60V12A3针(2+Tab)DPAKT/R.

分类

二极管,晶体管和晶闸管>FET晶体管>MOSFET

产品面世日期

2005-06-2200:00:00

ECCN

EAR99

供应商笼子代码

6USE7

HTSUSA

8541290095

组态

类别

功率MOSFET

频道模式

增强

频道类型

P

每个芯片的元素数量

1

最大漏极源电压

60V

最大栅极源电压

±20V

最大连续漏极电流

12A

最大漏极源电阻

115@10VmOhm

典型的栅极电荷@Vgs

15.8@10V|7.4@4.5VnC

典型的栅极电荷@10V

15.8nC

典型输入电容@Vds

987@30VpF

最大功耗

2500MW

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175℃

包裹姓氏

TO-252

供应商包装

DPAK

包装说明

DecaWatt套餐

针数

3

PCB

2

耳片

耳片

包装长度(mm)

6.6

包装宽度(mm)

6.1

包装高度(mm)

2.29

针距(mm)

2.29

包装材料

塑料

安装

表面贴装

封装外形

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MSL

1

最大回流温度(°C)

260

回流焊时间(秒)

三十

回流循环次数

3

标准

J-STD-020D

回流温度资源

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铅涂层(电镀)

哑光锡

终端底座材料

制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc. 制造商零件编号 AOD407 描述 MOSFETP-CH60V12ATO252 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 26周 详细描述 表面贴装-P-沟道-pval-2068-12A(Tc)-2.5W(Ta)-50W(Tc)-TO-252-(D-Pak) 一般信息 数据列表 AOD407;
TO252(DPAK)PkgDrawing;
标准包装 2,500 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 -
规格 FET类型 P沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 12A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 115毫欧@12A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 20nC@10V Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1185pF@30V FET功能 - 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc) 工作温度 -55°C~175°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 TO-252,(D-Pak) 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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