一般说明：AOD407
P沟道增强模式场效应晶体管
AOD407采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和低电压栅极电阻。具有优异的耐热性在DPAK封装中，该器件非常适合高电流负载应用。
-RoHS兼容
-无卤素*
生命周期：AOD407
量产
欧盟RoHS
是豁免
欧盟RoHS版本
2011/65/EU
零件编号代码
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描述
TransMOSFETP-CH60V12A3针（2+Tab）DPAKT/R.
分类
二极管，晶体管和晶闸管>FET晶体管>MOSFET
产品面世日期
2005-06-2200:00:00
ECCN
EAR99
供应商笼子代码
6USE7
HTSUSA
8541290095
组态
单
类别
功率MOSFET
频道模式
增强
频道类型
P
每个芯片的元素数量
1
最大漏极源电压
60V
最大栅极源电压
±20V
最大连续漏极电流
12A
最大漏极源电阻
115@10VmOhm
典型的栅极电荷@Vgs
15.8@10V|7.4@4.5VnC
典型的栅极电荷@10V
15.8nC
典型输入电容@Vds
987@30VpF
最大功耗
2500MW
最低工作温度
-55°C
最高工作温度
175℃
包裹姓氏
TO-252
供应商包装
DPAK
包装说明
DecaWatt套餐
针数
3
PCB
2
耳片
耳片
包装长度（mm）
6.6
包装宽度（mm）
6.1
包装高度（mm）
2.29
针距（mm）
2.29
包装材料
塑料
安装
表面贴装
封装外形
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MSL
1
最大回流温度（°C）
260
回流焊时间（秒）
三十
回流循环次数
3
标准
J-STD-020D
回流温度资源
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铅涂层（电镀）
哑光锡
终端底座材料
铜
制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc.制造商零件编号 AOD407
描述 MOSFETP-CH60V12ATO252
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 26周
详细描述 表面贴装-P-沟道-pval-2068-12A（Tc）-2.5W（Ta）-50W（Tc）-TO-252-（D-Pak）
一般信息 数据列表 AOD407;
TO252(DPAK)PkgDrawing;
标准包装
包装
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 -
规格 FET类型 P沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 12A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 4.5V，10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 115毫欧@12A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 3V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 20nC@10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 1185pF@30V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度 -55°C~175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
