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AO4485

发布时间:2019/6/10 20:30:00 访问次数:61 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司






产品描述:AO4485

AO4485采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)。这个该装置适合用作DC-DC转换器

应用。


生命周期:AO4485

量产

欧盟RoHS

欧盟RoHS版本

2011/65/EU,2015/863

零件编号代码

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描述

TransMOSFETP-CH40V10A8引脚SOICT/R.

分类

二极管,晶体管和晶闸管>FET晶体管>MOSFET

产品面世日期

2008-05-0500:00:00

ECCN

EAR99

供应商笼子代码

6USE7

HTSUSA

8541290095

组态

单四极管漏极三源

类别

功率MOSFET

频道模式

增强

频道类型

P

每个芯片的元素数量

1

最大漏极源电压

40V

最大栅极源电压

±20V

最大连续漏极电流

10A

最大门限阈值电压

2.5V

最大漏极源电阻

15@10VmOhm

典型的栅极电荷@Vgs

42@10V|18.6@4.5VnC

典型的栅极电荷@10V

42nC

典型输入电容@Vds

2500@20VpF

最大功耗

1700mW

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150℃

基本包装类型

引线框架SMT

包裹姓氏

SOP

供应商包装

SOIC

包装说明

小型IC

铅形状

鸥翼

针数

8

PCB

8

包装长度(mm)

4.9

包装宽度(mm)

3.9

包装高度(mm)

1.5

坐式平面高度(mm)

1.65

针距(mm)

1.27

包装材料

塑料

安装

表面贴装

封装外形

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JEDEC

MS-012AA

Jedec信息(PKG大纲)

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MSL

1

最大回流温度(°C)

260

回流焊时间(秒)

三十

回流循环次数

3

标准

J-STD-020D

回流温度资源

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铅涂层(电镀)

哑光锡

终端底座材料

制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc. 制造商零件编号 AO4485 描述 MOSFETP-CH40V10A8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 26周 详细描述 表面贴装-P-沟道-pval-2068-10A(Ta)-1.7W(Ta)-8-SOIC 一般信息 数据列表 AO4485Datasheet;
标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 -
规格 FET类型 P沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 40V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 10A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 15毫欧@10A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 55nC@10V Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF@20V FET功能 - 功率耗散(最大值) 1.7W(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 8-SOIC 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)

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