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AO6401

发布时间:2019/6/10 20:29:00 访问次数:62 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司






产品描述:AO6401

AO6401采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极工作电压低至2.5V。该设备适合用作负载开关或PWM应用。


生命周期:AO6401

量产

欧盟RoHS

欧盟RoHS版本

2011/65/EU

零件编号代码

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描述

TransMOSFETP-CH30V5A6引脚TSOP

分类

二极管,晶体管和晶闸管>FET晶体管>MOSFET

供应商笼子代码

6USE7

组态

单四极管漏极

类别

功率MOSFET

频道模式

增强

频道类型

P

每个芯片的元素数量

1

最大漏极源电压

30V

最大栅极源电压

±12V

最大连续漏极电流

5A

最大漏极源电阻

47@10VmOhm

典型的栅极电荷@Vgs

7@4.5V|14@10VnC

典型的栅极电荷@10V

14nC

典型输入电容@Vds

645@15VpF

最大功耗

2000MW

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150℃

供应商包装

TSOP

铅形状

鸥翼

针数

6

PCB

6

包装长度(mm)

2.9

包装宽度(mm)

1.6

包装高度(mm)

1.1

坐式平面高度(mm)

1.25(最大)

针距(mm)

0.95

包装材料

塑料

安装

表面贴装

封装外形

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制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc. 制造商零件编号 AO6401 描述 MOSFETP-CH30V5A6TSOP 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 26周 详细描述 表面贴装-P-沟道-pval-2068-5A(Ta)-2W(Ta)-6-TSOP 一般信息 数据列表 AO6401A;
TSOP6PkgDrawing;
标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 -
规格 FET类型 P沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 5A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 44毫欧@5A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC@4.5V Vgs(最大值) ±12V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1180pF@15V FET功能 - 功率耗散(最大值) 2W(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 6-TSOP 封装/外壳 SC-74,SOT-457

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