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FQD13N06LTM

发布时间:2019/6/10 20:26:00 访问次数:62 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司






产品描述:FQD13N06LTM

FQD13N06LTM:N沟道QFET®MOSFET60V,11A,115mΩ

该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。


产品特性:FQD13N06LTM

11A,60V,RDS(on)=115mΩ(最大值)@VGS=10V,ID=5.5A栅极电荷低(典型值:4.8nC)

低Crss(典型值17pF)

100%经过雪崩击穿测试

100%avalanchetested


应用:FQD13N06LTM

LCD电视

LED电视

其他工业

制造商 ONSemiconductor 制造商零件编号 FQD13N06LTM 描述 MOSFETN-CH60V11ADPAK 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 5周 详细描述 表面贴装-N-沟道-pval-2068-11A(Tc)-2.5W(Ta)-28W(Tc)-D-Pak

一般信息

数据列表 FQD13N06L,FQU13N06L;
标准包装 2,500 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 QFET®


规格

FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 11A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 115毫欧@5.5A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 6.4nC@5V Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF@25V FET功能 - 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 D-Pak 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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