MT47H32M16NF-25EIT:H

产品描述：MT47H32M16NF-25EIT:H

DRAM芯片DDR2SDRAM512Mbit32Mx161.8V84引脚FBGA

产品特征：MT47H32M16NF-25EIT:H

•VDD=1.8V±0.1V，VDDQ=1.8V±0.1V

•JEDEC标准1.8VI/O（兼容SSTL_18）

•差分数据选通（DQS，DQS＃）选项

•4n位预取架构

•x8的重复输出选通（RDQS）选项

•DLL用于将DQ和DQS转换与CK对齐

•4个内部银行同时运营

•可编程CAS延迟（CL）

•发布CAS附加延迟（AL）

•WRITE延迟=READ延迟-1tCK

•可选突发长度：4或8

•可调节的数据输出驱动强度

•64ms，8192周期刷新

•片上终端（ODT）

•工业温度（IT）选项

•符合RoHS标准

•支持JEDEC时钟抖动规范

制造商 MicronTechnologyInc.
制造商零件编号 MT47H32M16NF-25EIT:H
描述 ICDRAM512MPARALLEL84FBGA
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168小时）
详细描述 SDRAM-DDR2-存储器-IC-512Mb-（32M-x-16）-并联-pval-800-pval-2192-84-FBGA（8x12.5）

一般信息

数据列表 MT47Hxx(x)M4/8/16;

标准包装MT47H32M16NF-25EIT:H-ND;part_id=4747986;ref_supplier_id=557;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 1,368
包装 托盘
零件状态 在售
类别 集成电路（IC）
产品族 存储器
系列 -

规格

存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM-DDR2
存储容量 512Mb（32Mx16）
存储器接口 并联
时钟频率 400MHz
写周期时间-字，页 15ns
访问时间 400ps
电压-电源 1.7V~1.9V
工作温度 -40°C~95°C（TC）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 84-TFBGA
供应商器件封装 84-FBGA（8x12.5）