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CSD19534Q5A

发布时间:2019/6/10 15:31:00 访问次数:57 发布企业:深圳市力驰芯科技有限公司

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制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 15.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压: 2.8 V
Qg-栅极电荷: 17 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 6 mm
系列: CSD19534Q5A
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.9 mm
商标: Texas Instruments
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 24 mg

ASML光刻机入驻中国晶圆厂:投资25亿美元 55nm工艺 2019-06-10标签:半导体元件与制造来源:快科技

北京清芯华创投资公司投委会主席陈大同博士日前在报告中谈到了中国半导体产业与世界一流水平的差距,其中封装方面差距最小,最快5年追上,半导体制造上则需要10-15年,这部分也是国产最弱的一部分了。在半导体制造方面,国内工艺最先进的主要是SMIC中芯国际,28nm已经量产,14nm今年下半年量产。其次就是上海华虹集团,该公司建设了多个半导体制造项目,其中华虹六厂将在明年量产14nm工艺。


根据资料,2018年4月3日,华虹集团宣布位于无锡的华虹半导体七厂开工。据了解,华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约700亩,总投资100亿美元,一期项目总投资约25亿美元,新建一条工艺等级90-65纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线,支持5G和物联网等新兴领域的应用。


华虹无锡基地项目将分期建设数条12英寸集成电路生产线。首期项目实施后,将适时启动第二条生产线建设。


华虹半导体(无锡)有限公司一期工程计划将于2019年上半年完成土建施工,下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装、通线并逐步实现达产,预计年产值将达50亿元。


经过一年的建设,华虹方面此前宣布无锡的华虹七厂将在2季度搬入机台设备,预计4季度正式开始量产12英寸晶圆,华虹旗下的研发、工程及销售团队正在为此做准备。


日前华虹无锡项目进入了新阶段,6月6日举行了2英寸生产线建设项目首批光刻机搬入仪式,此举标志着华虹七厂建设上了一个新台阶,为9月建成投片奠定了坚实基础。



上午9:30,光刻机搬入仪式正式开始。华虹宏力党委书记、总裁、华虹半导体(无锡)有限公司总经理唐均君主持仪式,总包联合体十一科技党委书记、董事长赵振元,上海建工集团党委副书记、总裁卞家骏,以及设备供应商代表阿斯麦公司(ASML)全球资深副总裁Bert Savonije分别发言。

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