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拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士（SK Hynix）的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品。。.。。.
在SK Hynix的72层（72L） TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS （Pipe-shaped Bit Cost Scalable）单元，是利用管线式（pipe）闸极链接每一个NAND字符串（NAND string）；从其布局可见，该芯片包含4个平面（plane）以及双面字符线开关/译码器（two-sided wordline switches/decoders）。
该内存数组的效率约57%，是因为相对较大的内存与其他周边；而SK Hynix的36L与48L产品内存数组效率则分别为67.5%与64.0%。此趋势显示SK Hynix应该会为下一代芯片开发尺寸更小巧的设计。
三星（Samsung）以及东芝/WD （Toshiba/Western Digital）的64L 3D TLC NANS裸晶，有超过65%的内存数组效率；不过以上的内存芯片尺寸以及功能则都差不多。
各家64L与72L 3D NAND闪存单元数组效率比较
SK Hynix 72L NAND闪存的位密度为3.55 Gbits/mm2，高于Samsung/WD之64L芯片；而美光/英特尔（Micron/Intel）的64L 3D NAND芯片是4种解决方案中位密度最高的，主要是因为采用名为CuA （CMOS under the array）的独特砖式（title）布局。
