高速taa=10纳秒/15纳秒低有功和备用电流有功电流：Icc=38 mA典型值备用电流：isb2=6-ma典型值工作电压范围：1.65 V至2.2 V，2.2 V至3.6 V，以及4.5伏至5.5伏
■1.0-V数据保留TTL兼容输入和输出
■无铅44针SOJ、44针TSOP II和48球VFBGA
功能描述CY7C1041GN是高性能CMOS快速静态RAM按16位组织为256K字。
通过断言芯片启用（CE）和写入启用（WE）输入低，同时提供I/O0上的数通过I/O15和地址在A0到A17管脚上。
字节高启用（BHE）和字节低启用（BLE）输入控制写入对指定内存的上下字节的操作位置。
BHE控制I/O8至I/O15和BLE控制I/O0通过I/O7。通过断言芯片启用（CE）和输出使能（OE）输入低并提供所需的
地址行上的地址。在I/O上可以访问读取数据线路（I/O0至I/O15）。字节访问可以通过断言所需的字节使能信号（BHE或BLE）可读取
从指定的地址位置。所有I/O（I/O0至I/O15）均处于高阻抗状态。
在以下事件中：
■设备被取消选择（CE高）
■控制信号（OE、BLE、BHE）被取消断言
