■带多功能I/O的CMOS 3.0伏磁芯带多I/O的SPISPI时钟极性和相位模式0和3DDR选扩展寻址：24位或32位地址选项串行命令集和封装外形兼容S25FL-A、S25FL-K和S25FL-P SPI系列多I/O命令集和封装外形兼容S25FL-P SPI系列
■读取命令普通、快速、双、四路、快速DDR、双DDR、四路DDR自动启动-通电或重置并执行正常或四路在预选地址自动读取命令配置信息的通用闪存接口（CFI）数据。
编程（1.5 Mbps）256或512字节页面编程缓冲区选项慢时钟系统的四输入页面编程（QPP）自动ECC内部硬件错误纠正代码单位纠错生成擦除（0.5至0.65 Mbps）
混合扇区大小选项-32个4-kb物理集地址空间顶部或底部的扇区，所有剩余64 kb扇区，与上一代S25兼容-FL器件统一扇区选项-软件始终擦除256-kb块与更高密度和未来设备的兼容性。
■自行车耐力100000个程序擦除周期，最小值
■数据保留至少保留20年的数据
■安全特性1024字节的OTP数组块保护：
•状态寄存器位，用于控制对程序的保护或删除一系列相邻的扇区。
•硬件和软件控制选项高级部门保护（ASP）
•由引导代码控制的单个扇区保护或密码
■Cypress®65纳米mirrorbit®技术和Eclipse™
建筑
■核心电源电压：2.7V至3.6V输入/输出电源电压：1.65V至3.6VSO16和FBGA包
■温度范围/等级：
工业（-40°C至+85°C）
工业加（-40°C至+105°C）
汽车AEC-Q100 3级（-40°C至+85°C）
汽车AEC-Q100 2级（-40°C至+105°C）
汽车AEC-Q100 1级（-40°C至+125°C）
包装（全无铅）16铅SOIC（300 mil）
wson 6 8毫米BGA-24 6 8毫米
•5 5球（Fab024）和4 6球（Fac024）占地面积选项
•已知良好模具（KGD）和已知测试模具
1.1概述Cypress s25fl128s和s25fl256s设备是闪存非易失性存储器产品，使用：
■mirrorbit技术-在每个存储阵列晶体管中存储两个数据位
■Eclipse架构-显著提高程序和擦除性能
■65纳米工艺光刻该系列设备通过SPI连接到主机系统。传统的SPI单位串行输入和输出（单I/O或SIO）是支持以及可选的两位（双I/O或DIO）和四位（四I/O或QIO）串行命令。这个多宽度接口称为SPI多I/O或MIO。此外，FL-S系列增加了对传输的SIO、DIO和QIO的DDR读取命令的支持。在时钟的两边寻址和读取数据。
Eclipse体系结构具有一个页面编程缓冲区，允许最多128个字（256字节）或256个字（512字节）的在一个操作中编程，从而比上一代SPI程序或擦除更快有效地编程和擦除算法。
直接从闪存执行代码通常称为就地执行或XIP。以更高的时钟频率使用FL-S设备
支持，通过qio或ddr-qio命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口。异步，也不闪存，同时大大减少信号计数。
s25fl128s和s25fl256s产品提供高密度，并具有多种所需的灵活性和快速性能。
嵌入式应用程序。它们是代码隐藏、XIP和数据存储的理想选择。
