标准包装
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1,000
包装
标准卷带
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 SIPMOS®
规格 FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 240V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 350mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 108µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 5.7nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 108pF @ 25V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-SOT223-4
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
