FM25V02A-GTR F-RAM

FM25V02A-GTR功能描述


非易失性记忆体使用


高级铁电工艺F-RAM是非挥发性的


表格阅读和写作类似于一个随机存储器。它提供可靠的


数据保留151年，消除了复杂情况，


串行引起的系统可靠性问题


闪光灯、EEPROM和其他非易失性记忆。


不如串行闪光灯和EEPROM，FM25V02A演示文稿


巴士速度操作。没有书写延误。数据是


在每个字节之后立即写入存储器阵列


成功地传送到设备。下一个总线循环可以


开始时不需要数据传输。另外


产品提供与其他产品相比的实质性耐久性


非易失性记忆FM25V02A能够支持


1014 read/write cycles，or 100 million times more write cycles


Than Eeprom.


这些能力使FM25V02A对非挥发性理想化


存储器应用程序要求频率或快速写入。


Examples range from data logging，where the number of write


Cycles may be critical，to demanding industrial control where the


连续闪光灯或EEPROM的长写作时间会造成数据损失。


FM25V02A为串行使用提供了实质性好处。


Eeprom or Flash as a hardware drop-in replacement.茶


使用高速SPI总线，增强了


高速写作能力的F-RAM技术。装置


安装一个读写设备，允许主机


确定制造商、产品密度和产品


修订。设备规格在一年内得到保证。


工业范围－40℃－85℃。


为了一份有关资源的完整清单，在这里单击
特征


256-KBIT铁电随机存取存储器


Logically organized as 32K×8


高耐力100万亿（1014）read/write


+10064；151-year data retention（see the data retention and）


耐力表


=10064；Nodelay=Writes


先进的高可靠性铁电工艺


Very fast serial peripheral interface（SPI）


Up to 40-MHz Frequency


串行闪光灯和EEPOM的直接硬件替换


+10064；SPI Mode 0（0，0）and Mode 3（1，1）


先进的文字保护方案


用文字保护（WP）PIN保护硬件


使用不可读指令的软件保护


软件块保护1/4，1/2，或整个阵列


设备ID


制造者ID和产品ID


低功耗


+10064；2.5-MA活性电流在40兆赫


=10064150-=a standby current


睡眠模式电流


低电压操作：VDD=2.0 V至3.6 V


工业温度－40℃至＋85℃


集合


小外壳集成电路（土壤）包装


双平面无铅包装


限制有害物质（ROHS）的遵守