Nexperia的 TrEOS 单路 ESD 保护提供低电容、低钳位电压和高 ESD 稳健性的组合，有助于保护 10 Gbps+ 数据线路系统。传统的 ESD 保护必须在鲁棒性、信号完整性和系统保护之间进行权衡，仅能对这三个核心参数中的两个进行充分保护。为了保护 USB 端口，低电容通常被认为有利于防止浪涌电平。高速接口（例如 USB Type-C™）可能会使系统中的浪涌脉冲通过有缺陷电缆向收发器放电。
Nexperia 的 TrEOS 解决方案通过在所有领域提供基准性能来缓解常规保护挑战，并采用经过广泛验证的 DSN0603-2 封装：
极低的电容（低至 0.1 pF） 极低的钳位（低至 0.1 Ω） 高抗浪涌能力（高达 20 A 8/20 μs)Nexperia 用于高速数据线的 TrEOS 产品组合由两个器件子集组成，可以一起使用或单独使用：
极高的浪涌稳健性器件设计用于放置在连接器和交流电容之间，以保护去耦电容和收发器免受可能的峰值脉冲影响（高达 20 A） 极低峰值电压器件设计用于放置在电容器和提供低触发电压的器件之间，以最大化系统级保护（Vt1低至 4.3 V）建议将两个子集的保护装置结合使用，以实现最佳的 ESD 保护。
特性 最大限度地保护所有三个 ESD 要素 适用于 USB 3.2 SuperSpeed 和 HDMI 2.x TMDS 数据线 为敏感的收发器 SoC 提供可靠的保护 超越 IEC61000-4-2 第 4 级，IEC61000-4-5 级坚固性 2 V、2.5 V、3.3 V、4 V、5 V、6.5 V 和 7 V VRWM规格 低电容硅，具有深度快速恢复功能 超低动态电阻/电容组合 极快的切换时间（低于 1 ns） 低电感，无接合线 DSN0603-2 无与伦比的 8 /20 μs 浪涌稳健性（最高可达 20 A IPMM）
