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S34ML01G200TFI000NAND闪存

发布时间:2019/5/15 9:59:00 访问次数:50 发布企业:深圳市宇创芯科技有限公司

S34ML01G200TFI000 特色


μ密度


–1千兆位/2千兆位/4千兆位


建筑


–输入/输出总线宽度:8位/16位


-页面大小:


-X8:


1 Gbit:(2048+64)字节;64字节备用区


2 Gbit/4 Gbit:(2048+128)字节;128字节备用区


-X16:


1 Gbit:(1024+32)字;32字备用区


2 Gbit/4 Gbit(1024+64)字;64字备用区


–块大小:64页


-X8:


1 GB:128K+4K字节


2 Gbit/4 Gbit:128k+8k字节


-X16


1 GB:64K+2K字


2 GB/4 GB:64K+4K字


-平面尺寸


-X8


1 Gbit:1024块/平面或(128m+4m)字节


2 Gbit:1024块/平面或(128m+8m)字节


4 Gbit:2048块/平面或(256M+16M)字节


-X16


1 gbit:1024块/面或(64m+2m)字


2 gbit:1024块/面或(64m+4m)字


4 gbit:2048块/平面或(128m+8m)字


-设备尺寸


–1 GB:每个设备1个平面或128 MB


–2 Gbit:每个设备2个平面或256兆字节


–4 Gbit:每个设备2个平面或512兆字节


NAND闪存接口


–开放式NAND闪存接口(ONFI)1.0兼容


–地址、数据和命令多路复用


电源电压


–3.3V设备:VCC=2.7V~3.6V


“安全”


–一次性可编程(OTP)区域


–序列号(唯一ID)(联系工厂以获得支持)


–电源转换期间禁用硬件程序/擦除


附加功能


–2 GB和4 GB部件支持多平面程序和擦除


命令


–支持复制回程序


–2 GB和4 GB部件支持多平面复制回程序


–支持读缓存


电子签名


–制造商ID:01H


工作温度


–工业:-40°C至85°C


性能


页面读取/程序


–随机访问:25微秒(最大)(S34ML01G2)


–随机访问:30微秒(最大)(S34ML02G2、S34ML04G2)


-顺序访问:25 ns(min)


-程序时间/多平面程序时间:300微秒(典型)


块擦除(S34ML01G2)


-块擦除时间:3 ms(典型)


块擦除/多平面擦除(S34ML02G2、S34ML04G2)


–块擦除时间:3.5 ms(典型)


μ可靠度


–100000个程序/擦除周期(典型)


(每528字节(x8)或264字(x16)使用4位ECC)


–10年数据保留(典型)


–块零和块一有效,有效期至少为1000


用ECC编程擦除周期


套餐选项


–无铅和低卤素


–48针TSOP 12 x 20 x 1.2毫米


–63球BGA 9 x 11 x 1毫米


–67球BGA 8 x 6.5 x 1毫米(S34ML01G2)

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