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S25FL512SAGMFI013NOR闪存512Mb3V133MHzSerialNOR闪存

发布时间:2019/5/15 9:42:00 访问次数:53 发布企业:深圳市宇创芯科技有限公司

S25FL512SAGMFI013

特征CMOS 3.0伏核心,带多功能I/O

带多I/O的串行外围接口(SPI)
μ密度
512兆比特(64兆比特)
○SPI
SPI时钟极性和相位模式0和3
双数据速率(DDR)选项
扩展寻址:32位地址串行命令集和封装外形兼容S25FLA-A,S25FL-K和S25FL-P SPI系列多I/O命令集和封装外形兼容S25FL-P SPI系列
读取命令普通、快速、双、四路、快速DDR、双DDR、四路DDR自动启动-通电或重置并执行正常或四路在预选地址自动读取命配置信息的通用闪存接口(CFI)数据。
编程(1.5 MB/s)512字节页面编程缓冲区慢时钟系统的四输入页面编程(QPP)自动ECC-内部硬件错误纠正代码单位纠错生成
擦除(0.5至0.65 MB/s)统一256 kbyte扇区自行车耐力100000个程序擦除周期,最小值数据保留至少保留20年的数据安全功能1024字节的OTP数组
块保护:
•状态寄存器位,用于控制对程序的保护或删除一系列相邻的扇区。
•硬件和软件控制选项高级部门保护(ASP)
•由引导代码控制的单个扇区保护或密码建筑
核心电源电压:2.7 V至3.6 V
I/O电源电压:1.65 V至3.6 V
SO16和FBGA包
温度范围:
工业(–40°C至+85°C)
工业升级版(–40°C至+105°C)
汽车,AEC-Q100 3级(–40°C至+85°C)
汽车,AEC-Q100 2级(–40°C至+105°C)
汽车,AEC-Q100 1级(–40°C至+125°C)
包装(全无铅)
16铅SOIC(300 mil)
BGA-24 6×8毫米
•5×5球(Fab024)和4×6球(Fac024)脚印选项已知良好模具和已知测试模具

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