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PMXB75UPE

发布时间:2019/5/14 13:53:00 访问次数:67 发布企业:深圳市中意法电子科技有限公司

型号

PMXB75UPE


品牌

Nexperia


规格 FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 85 毫欧 @ 2.9A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V Vgs(最大值) ±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 608pF @ 10V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 317mW(Ta),8.33W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 DFN1010D-3 封装/外壳 3-XDFN 裸露焊盘


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