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LV2842XLVDDCR

发布时间:2019/5/14 11:41:00 访问次数:96 发布企业:深圳市金镇发科技有限公司

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5G具体到技术层面上有两个显著的边际变化:

(1)通信频率需要进一步提升以增加带宽从而提升速率,电磁波的频率将从4G的1.8-2.7GHz提升至3.3-5.0GHZ,未来有望提升至28GHz,届时波长将达到毫米波级别。但由于频率增长导致波长变小,叠加空气吸收等因素,电磁波的传输距离变短,穿透能力变弱;

(2)同时,多输入多输出(MIMO)技术和阵列天线技术将成为手机天线的核心技术,其可以在不需要增加信道带宽或者总发送功率损耗的情况下大幅地增加数据吞吐量以及发送距离,有效地提升了通信质量。预计手机中的天线数量将从2或4根变为8根甚至16根。

而电磁波会被金属屏蔽,导电的金属能对电磁波产生反射、吸收、和抵消等作用,所以厂商在设计天线时,应当远离金属零部件。而5G时代下,天线数量增多、功能增强且电磁波穿透能力变弱,具有屏蔽电磁波特性的金属机身已不再适合高频通信时代。

英特尔将在2019年和2020年推出多种10nm产品,包括在2020年上半年推出基于10nm的服务器。

此外,英特尔表示将在2021年生产并推出一款7nm产品。

对于一家开发10nm工艺都存在问题的公司来说,这个时间表听起来显得十分激进。在英特尔路线图中,10nm(以及10+和10++)的生命周期比14nm系列短得多。

考虑到这一点,英特尔的7nm产品将成为该公司从14nm和10nm系列产品中吸取教训的结合体。英特尔希望实现2倍扩展(摩尔定律),但是计划将节点内优化作为路线图的一部分。

英特尔也在减少其设计规则的数量,这应该有助于执行新的路线图计划。7nm也将是英特尔与EUV交叉的领域,并将引入下一代Foveros和EMIB封装技术。

英特尔还展示了以个人电脑为中心的单片芯片和基于Foveros和EMIB的多模数据中心芯片。英特尔芯片和封装团队表示,我们将看到Foveros和EMIB出现在新产品上,特别是GPU。

英特尔宣布其领先的7nm产品将是基于Xe图形架构的新GPGPU。该公司表示,其Xe产品将有两个不同的微体系结构(从移动端GPGPU),其中一个架构称为北极声音(Arctic Sound)。

再者,目前搭载了无线充电应用的智能手机。其技术一般都是电磁感应式,金属对电磁场有屏蔽和吸收的作用,会影响无线充电的传输效率,因此无线充电功能的实现和逐渐普及也意味着金属机壳将失去舞台。

而非金属材料(塑料、玻璃、陶瓷等)由于其没有电磁屏蔽的优良特点,将成为手机品牌厂商的选择。PC/PMMA复合板材由两种塑料制得而成,同样符合5G时代下机身非金属化的发展趋势。

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