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NTR4170NT1GON30V55mOhm078WMOSFET-SOT-23优势原装现货

发布时间:2019/5/14 10:41:00 访问次数:65 发布企业:鑫锐电子(香港)有限公司

NTR4170NT1G ON 30V 55mOhm 0.78W MOSFET-SOT-23优势原装现货

NTR4170NT1G产品详细规格
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C -
Rds(最大)@ ID,VGS 55 mOhm @ 3.2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.4V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 4.76nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 432pF @ 15V
功率 - 最大 780mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 2.4 A
RDS -于 55@10V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 6.4 ns
典型上升时间 9.9 ns
典型关闭延迟时间 15.1 ns
典型下降时间 3.5 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 55@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 780
最大连续漏极电流 2.4
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.4V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 55 mOhm @ 3.2A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 780mW
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 432pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 4.76nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NTR4170NT1GOSCT
类别 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
身高 1.01mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 110 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.25 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SO-23
典型栅极电荷@ VGS 4.76 nC @ 4.5 V
典型输入电容@ VDS 432 pF @ 15 V
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 4 A
正向跨导 - 闵 8 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 64 mOhms
功率耗散 1.25 W
封装/外壳 TO-236
上升时间 9.9 ns
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 3.5 ns
漏极电流(最大值) 4 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) ?12 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.055 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :4A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :45mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1V
No. of Pins :3
Weight (kg) 0


鑫锐电子(香港)有限公司,18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ,一站式终端厂家配套:(质量保证 诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配套市场,专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。


主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。


公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
手机:13725590222
电话:0755-83780666/83265111
传真:0755-82800889
QQ: 3373563833
地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B
公司网址:www.xrdz-hk.com


公司部分现货:
TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。


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折叠手机成为智能手机市场新的看点,三星、华为之后,又一家科技大厂谷歌也有可能入局。


近日,国外媒体《CNET》采访谷歌Pixel 部门主管Mario Queiroz,其表示谷歌正在开发屏幕可以折叠的原型手机,且整个开发技术已经持续一段时间。


外界猜想,正如三星推出 Galaxy Fold是为了展示屏幕技术,谷歌研发折叠手机原型机,是为了展示安卓系统如何与折叠手机进行适配。


近期召开的谷歌I/O开发者大会上,谷歌展示了最新的 Android Q系统,它可以实现可折叠的交互体验。


正是在三星、华为、谷歌等厂商在硬件、软件上的不断努力,折叠手机才得以出现,并在未来不断打开市场。


集邦咨询光电研究中心(WitsView)预计,2019年折叠式手机占智能手机市场渗透率为0.1%,2021年折叠手机渗透率有机会突破1%,2022年有望加速攀升至3.4%。

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