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FM25L04B-GTR原装现货热卖库存。

发布时间:2019/5/13 20:00:00 访问次数:66 发布企业:深圳市宇创芯科技有限公司

FM25L04B-GTR特征


■逻辑上为4-kbit铁电随机存取存储器(F-RAM)


组织为512×8


高耐久性100万亿(1014)读/写


151年数据保留(见数据保留和耐久性


在第12页)


nodelay™写入


先进的高可靠性铁电工艺


■非常快速的串行外围接口(SPI)


最高20兆赫频率


串行闪存和EEPROM的直接硬件更换


支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)


■完善的写保护方案


使用写保护(wp)引脚的硬件保护


使用写禁用指令的软件保护


1/4、1/2或整个阵列的软件块保护


■功耗低


200μA,1 MHz时的有功电流


3μA(典型)备用电流


低压运行:Vdd=2.7 V至3.6 V


工业温度:–40摄氏度至+85摄氏度


ω包


8针小外形集成电路(SOIC)封装


8针薄双平无引线(DFN)封装


■符合有害物质限制(RoHS)

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