位置:51电子网 » 企业新闻

FM25CL64B-GTR现货库存,优势热卖!

发布时间:2019/5/13 19:58:00 访问次数:68 发布企业:深圳市宇创芯科技有限公司

FM25CL64B-GTR功能描述


fm25cl64b是64 kbit非易失性存储器,采用


先进的铁电工艺。铁电随机接入


存储器或F-RAM是非易失性的,执行读写操作。


类似于RAM。它提供了151年的可靠数据保留


同时消除了复杂性、开销和系统级别


串行闪存、电可擦可编程只读存储器等引起的可靠性问题


非易失性存储器。


与串行闪存和EEPROM不同,FM25CL64B执行


以总线速度写入操作。不会产生写入延迟。数据


在每个字节


已成功传输到设备。下一个总线周期可以


在不需要数据轮询的情况下开始。另外,


与其他产品相比,该产品具有相当大的写入持久性


非易失性存储器。FM25CL64B能够支持


1014个读/写周期,或1亿倍以上的写周期


比EEPROM。


这些功能使FM25CL64B成为非易失性的理想选择。


需要频繁或快速写入的内存应用程序。


示例包括数据收集,其中


循环可能对要求工业控制至关重要,


串行闪存或EEPROM的长写入时间会导致数据丢失。


fm25cl64b为串行用户提供了巨大的好处


EEPROM或闪存作为硬件插入替换。这个


FM25CL64B采用高速SPI总线,增强了


F-RAM技术的高速写入能力。装置


在工业温度下保证规格


范围为-40摄氏度至+85摄氏度。

特征


■64kbit铁电随机存取存储器(F-RAM),逻辑上


按8K×8组织


高耐久性100万亿(1014)读/写


151年数据保留(见数据保留和耐久性


在第12页)


nodelay™写入


先进的高可靠性铁电工艺


■非常快速的串行外围接口(SPI)


最高20兆赫频率


串行闪存和EEPROM的直接硬件更换


支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)


■完善的写保护方案


使用写保护(wp)引脚的硬件保护


使用写禁用指令的软件保护


1/4、1/2或整个阵列的软件块保护


■功耗低


200μA,1 MHz时的有功电流


3μA(典型)备用电流


低压运行:Vdd=2.7 V至3.65 V


工业温度:–40摄氏度至+85摄氏度


ω包


8针小外形集成电路(SOIC)封装


8针薄双平无引线(DFN)封装


■符合有害物质限制(RoHS)

相关新闻

相关型号