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FM24CL64B-GTR64kbit铁电随机存取存储器(F-RAM)

发布时间:2019/5/13 19:54:00 访问次数:113 发布企业:深圳市宇创芯科技有限公司

FM24CL64B-GTR特征


■64kbit铁电随机存取存储器(F-RAM),逻辑上


按8K×8组织


高耐久性100万亿(1014)读/写


151年数据保留(见数据保留和耐久性


在第10页)


nodelay™写入


先进的高可靠性铁电工艺


快速2线串行接口(I2c)


最高1兆赫频率


串行(I2c)EEPROM的直接硬件更换


支持100 kHz和400 kHz的传统计时


■功耗低


100μA(典型)100 kHz时的有功电流


3μA(典型)备用电流


电压运行:Vdd=2.7 V至3.65 V


工业温度:–40摄氏度至+85摄氏度


ω包


8针小外形集成电路(SOIC)封装


8针薄双平无引线(DFN)封装


■符合有害物质限制(RoHS)

功能描述



fm24cl64b是64 kbit非易失性存储器,采用


先进的铁电工艺。铁电随机接入


存储器或F-RAM是非易失性的,执行读写操作。


类似于RAM。它提供了151年的可靠数据保留


同时消除了复杂性、开销和系统级别


由EEPROM和其他非易失性引起的可靠性问题


回忆。


与EEPROM不同,FM24CL64B在


总线速度。不会产生写入延迟。数据写入


每个字节成功后立即存储阵列


已传输到设备。下一个公共汽车周期可以开始


不需要数据轮询。此外,该产品还提供


与其他非易失性相比,具有相当大的写入持久性


回忆。此外,F-RAM在写入过程中的功耗要低得多。


因为写操作不需要内部


写入电路的电源电压升高。这个


FM24CL64B能够支持1014个读/写周期,或


写周期是EEPROM的1亿倍。


这些功能使FM24CL64B成为非易失性的理想选择。


需要频繁或快速写入的内存应用程序。


示例包括数据记录,其中写入的次数


循环可能对要求工业控制至关重要,


电可擦可编程只读存储器的长写入时间会导致数据丢失。这个


功能组合允许更频繁的数据写入


减少系统开销。


FM24CL64B为串行用户提供了巨大的好处


(I2c)EEPROM作为硬件的替代品。装置


在工业温度下保证规格


范围为-40摄氏度至+85摄氏度

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