■64kbit铁电随机存取存储器(F-RAM),逻辑上
按8K×8组织
高耐久性100万亿(1014)读/写
151年数据保留(见数据保留和耐久性
在第10页)
nodelay™写入
先进的高可靠性铁电工艺
快速2线串行接口(I2c)
最高1兆赫频率
串行(I2c)EEPROM的直接硬件更换
支持100 kHz和400 kHz的传统计时
■功耗低
100μA(典型)100 kHz时的有功电流
3μA(典型)备用电流
电压运行:Vdd=2.7 V至3.65 V
工业温度:–40摄氏度至+85摄氏度
ω包
8针小外形集成电路(SOIC)封装
8针薄双平无引线(DFN)封装
■符合有害物质限制(RoHS)
功能描述
fm24cl64b是64 kbit非易失性存储器,采用
先进的铁电工艺。铁电随机接入
存储器或F-RAM是非易失性的,执行读写操作。
类似于RAM。它提供了151年的可靠数据保留
同时消除了复杂性、开销和系统级别
由EEPROM和其他非易失性引起的可靠性问题
回忆。
与EEPROM不同,FM24CL64B在
总线速度。不会产生写入延迟。数据写入
每个字节成功后立即存储阵列
已传输到设备。下一个公共汽车周期可以开始
不需要数据轮询。此外,该产品还提供
与其他非易失性相比,具有相当大的写入持久性
回忆。此外,F-RAM在写入过程中的功耗要低得多。
因为写操作不需要内部
写入电路的电源电压升高。这个
FM24CL64B能够支持1014个读/写周期,或
写周期是EEPROM的1亿倍。
这些功能使FM24CL64B成为非易失性的理想选择。
需要频繁或快速写入的内存应用程序。
示例包括数据记录,其中写入的次数
循环可能对要求工业控制至关重要,
电可擦可编程只读存储器的长写入时间会导致数据丢失。这个
功能组合允许更频繁的数据写入
减少系统开销。
FM24CL64B为串行用户提供了巨大的好处
(I2c)EEPROM作为硬件的替代品。装置
在工业温度下保证规格
范围为-40摄氏度至+85摄氏度