位置:51电子网 » 企业新闻

IPD90N06S4L-06

发布时间:2019/5/13 17:59:00 访问次数:61 发布企业:深圳市中意法电子科技有限公司

型号

IPD90N06S4L-06

规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 90A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 6.3 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 75nC @ 10V Vgs(最大值) ±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5680pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 79W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 PG-TO252-3 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 联系人:宁朝辉
深圳市中意法电子科技有限公司
电话:(86)-755-83991289/13926556620
Q Q : 2853522069
网址: http//www.sth-ic.com
中意法电子连续8年荣获“电子元器件行业十大金牌优质供应商
提供小批量整张BOM配单

上一篇:IPG20N10S4L22ATMA1

下一篇:BTS5200-1EJA

相关新闻

相关型号