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IPG20N10S4L22ATMA1

发布时间:2019/5/13 17:58:00 访问次数:292 发布企业:深圳市朱博士电子科技有限公司

型号:IPG20N10S4L22ATMA1

品牌:INFINEON

参数说明:

FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 22 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1755pF @ 25V
功率 - 最大值 60W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8-4

深圳市中意法电子科技有限公司

联系人:王利娟
电话:(86)-755-83267371/13823141664

Q Q :1956362715

邮箱:sales28@sth-ic.com

地址:深圳市福田区振华路118号华丽大院1栋408

网址: http//www.sth-ic.com
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