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IPZ40N04S5L-4R8

发布时间:2019/5/13 17:57:00 访问次数:58 发布企业:深圳市中意法电子科技有限公司

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IPZ40N04S5L-4R8


规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 4.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 17μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 29nC @ 10V Vgs(最大值) ±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 48W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 PG-TSDSON-8 封装/外壳 8-PowerVDFN 联系人:宁朝辉
深圳市中意法电子科技有限公司
电话:(86)-755-83991289/13926556620
Q Q : 2853522069
网址: http//www.sth-ic.com
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