品牌：INFINEON
参数说明：
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
4.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 17μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
29nC @ 10V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1560pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerVDFN
深圳市中意法电子科技有限公司
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