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IPD90N06S4L-06

发布时间:2019/5/13 17:56:00 访问次数:60 发布企业:深圳市中意法电子科技有限公司

型号:IPD90N06S4L-06

品牌:INFINEON

参数说明:

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 90A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 6.3 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 75nC @ 10V Vgs(最大值) ±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5680pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 79W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 PG-TO252-3-11 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

深圳市中意法电子科技有限公司

联系人:王利娟
电话:(86)-755-83267371/13823141664

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