STGWA40IH65DF绝缘栅双极晶体管（IGBT）IH系列

STGWA40IH65DF绝缘栅双极晶体管（IGBT）IH系列 STMicroelectronics的STGWA40IH65DF 650 V，IGBT，IH系列旨在最大限度地提高任何谐振和软开关应用的效率

STGWA40IH65DF绝缘栅双极晶体管（IGBT）IH系列图片" src="https://www.digikey.cn/-/media/Images/Product%20Highlights/S/STMicroelectronics/STGWA40IH65DF%20IGBT%20IH%20Series/stmicroelectronic-STGWA40IH65DF-insulated-gate-bipolar-transistor-ih-series-200.jpg?ts=092c58ea-1204-41ac-8660-a92334c697f4&w=170&h=180&la=zh-CN" title="STMicroelectronic的STGWA40IH65DF绝缘栅双极晶体管（IGBT）IH系列" style="float:right;margin:0px 0px 10px 15px;max-width:100%;height:180px;width:170px;" />意法半导体的IGBT 650 V软开关IH系列采用先进的专有沟槽栅极场截止结构开发而成，其性能在导通和开关损耗方面均得到优化，适用于软换向。包括具有低压降正向电压的续流二极管。结果是产品专门设计用于最大化任何谐振和软开关应用的效率。

特征 仅用于软通信 最高结温：TJ= 175°C VCE（sat）= 1.5 V（典型值）@ IC = 40 A. 最小化尾电流 紧密的参数分布 低热阻 低压降续流共同封装二极管 正VCE（sat）温度系数