650 V，40 A，高速HB2系列IGBT，采用TO-247长引线封装

HB2系列650 V IGBT STMicro的沟槽栅极场截止，650 V，40 A，高速HB2系列IGBT，采用TO-247长引线封装

意法半导体的IGBT 650 V HB2系列代表了先进的专有沟槽栅极场截止结构的演变。由于在低电流值下具有更好的VCE（sat）特性以及降低的开关能量，HB2系列的性能在传导方面得到优化。仅用于保护目的的二极管与IGBT反并联共同封装。结果是专门设计的产品，以最大限度地提高各种快速应用的效率。

特征 最高结温：TJ= 175°C 低VCE（sat）= 1.55 V（典型值）@ IC= 40 A. 共同封装的保护二极管 最小化尾电流 紧密的参数分布 低热阻 正VCE（sat）温度系数