AD587JN特点：微调至高精度：10.000 V 5 mV（L和U级）微调温度系数：5 ppm/c最大（L和U级）降噪能力低静态电流：4 mA最大输出微调能力mil-std-883兼容版本可用
AD587代表了在艺术整体电压基准状态的主要进步。
AD587采用专有的离子植入式齐纳二极管和高稳定性薄膜电阻的激光晶片微调，以低成本提供卓越的性能。
AD587的性能比大多数其他10V参考电压都要高。由于AD587采用了行业标准的引脚，许多系统可以立即升级AD587。
隐藏齐纳参考设计方法提供比带隙电压参考更低的噪声和漂移。
AD587提供了一个噪声抑制销，可用于进一步降低埋置齐纳产生的噪声水平。
建议将AD587用作需要外部精度参考的8位、10位、12位、14位或16位DAC的参考。
该设备也适用于连续逼近或集成精度高达14位的ADC。Racy和一般来说，可以提供比标准片上参考更好的性能。
AD587J、AD587K和AD587L被指定用于0°C到70°C的操作，AD587U被指定用于-55°C到+125°C的操作。
所有的等级都可在8引脚CeDIP中使用。J和K版本也可在8引脚SOIC封装中用于表面贴装应用，而J、K和L等级也出现在8引脚PIP中。
在不使用外部元件的情况下，对初始精度和温度系数进行激光微调可使温度误差非常低。
AD587L在0°C和70°C之间的最大偏差为10.000 V±8.5 mV，AD587U保证在-55°C和+125°C.2之间的最大总误差为±14 mV。
对于需要更高精度的应用，提供了可选的微调连接。任何使用工业标准Pinout 10 V参考电压的系统都可以立即使用AD587.4进行升级。
AD587的输出噪声非常低，通常为4μvp-p。为使用外部电容器进行额外的噪声过滤提供了一个降噪针。
AD587有符合MIL-STD-883的版本。详细规格请参阅模拟设备军用产品数据表或当前AD587/883B数据表。
