公司：深圳市创宝来科技有限公司
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PCN Assembly/Origin：U68A Fab Site Transition 17/Jul/2013
标准包装：1,000
类别：集成电路 (IC)
家庭：存储器
系列：-
包装：托盘
格式 - 存储器：RAM
存储器类型：DDR2 SDRAM
存储容量：1G（64M x 16）
速度：3ns
接口：并联
电压 - 电源：1.7 V ~ 1.9 V
工作温度：-40°C ~ 95°C
封装/外壳：84-TFBGA
供应商器件封装：84-FBGA （8x12.5）
目前在全球的消费电子市场上，存储器是名副其实的电子行业“原材料”。如果再将存储器细分，又可分为DRAM、NAND Flash与Nor Flash三种。在移动终端设备中，NAND Flash 是必不可少的组件之一，而且也是最昂贵的组件之一。
为什么说是最贵的组件，大家可以参考下苹果今年的新机发布定价，iPhone Xs Max 国行的售价分别为9599元、10999元和12799元，手机存储的大小导致价格也相差几千块。
随着国内制造业的升级，半导体产业的突破更是刻不容缓，根据外媒的预测，2018年世界半导体市场规模为4771.01亿美元，较2017年的4122.2亿美元增长15.7%，预计到2019年市场规模达到5020.40亿美元（约合人民币3.4万亿元）。芯片是信息时代的粮食，其中存储器芯片是应用最广泛的，市场最大的芯片，所有的电子产品，包括手机、相机、电脑都离不开它。
存储器领域经过几十年的发展，已经由全球三家巨头占领，分别为韩国三星、SK海士力以及镁光，三家占据了全球超过九成的市场份额，其中三星、SK海士力占据绝对主导力量。目前国内已有三家企业已经进入这一领域，武汉长江存储就是其中一家。
长江存储自主研发的国内第一颗32层三维NAND闪存芯片，将会在今年底进行量产，据了解，这枚芯片价值10亿美元，是长江存储1000人花费了2年时间研发出来的。可以称得上是“中国芯片之王”。
这家科技公司的前身为武汉新芯集成电路，作为国内重量级存储项目基地，他们总投入金额高达240亿美元（约合人民币1660亿元）。预计项目一期建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元，未来几年时间里，将从全世界各个地区进口近3万吨精密仪器至武汉，长江存储武汉基地将迎来快速发展期。
在今年，不少媒体报道了，长江存储已采购了首台光刻机。这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机，售价达到7200万美元（约合人民币5亿元），采用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程，陆续还会有多台运抵工厂。
由于存储器产品的特殊性，产品的线宽、产能、成品率与折旧等问题，没有大投入难以进入这个行业。任何新进者，由于产能爬坡，折旧等因素几乎无法与韩国三星、SK海士力竞争，所以即便舍得花巨额的投入，恐怕也难以取胜，其中还有技术专利等从多难题，进入门槛也非常之高。
随着国内半导体产业投入的加大，国内存储器行业也将迎来加速发展，虽然在短期内难以撼动三星、SK海士力以及镁光三足鼎立的局面，但未来凭借国内庞大的内需市场、优秀的开发能力，以及具国际水准的产能，必将在全球半导体产业拥有一席之地。在前段时间已经有报道称，苹果公司已经开始和江存储谈判，计划向对方采购NAND闪存芯片，至于用途当然是用于iPhone了。
