产品描述：FDN340P
FDN340P：-20V单P沟道2.5V额定PowerTrench®MOSFET
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合负载开关，功率管理，电池充电电路和DC / DC转换等便携式电子应用。
产品特性：FDN340P
-2A，20V RDS（ON）=70mΩ@ VGS = -4.5 VRDS（ON）=70mΩ@ VGS = -4.5 V
低栅极电荷（7.2nC典型值）
RDS（ON）=70mΩ@ VGS = -4.5 V.
高功率版本的工业标准SOT-23封装。相同的SOT-23引脚，可将功率处理能力提高30％。
高性能沟道技术可实现极低的RDS（ON）。
RDS（ON）=110mΩ@ VGS = -2.5 V.
应用：FDN340P
该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。
负载开关
能源管理
电池充电电路
DC / DC转换器
制造商:FDN340P
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SSOT-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
20 V
Id-连续漏极电流:
2 A
Rds On-漏源导通电阻:
60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
8 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW (1/2 W)
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
PowerTrench
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.12 mm
长度:
2.9 mm
产品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDN340P
晶体管类型:
1 P-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
1.4 mm
商标:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:
9 S
下降时间:
9 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
9 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
27 ns
典型接通延迟时间:
10 ns
零件号别名:
FDN340P_NL
单位重量:
30 mg
