产品描述：TC58NVG0S3ETA00
TOSHIBA MOS数字集成电路硅栅CMOS
1 GBIT（128M×8位）CMOS NAND E2
TC58NVG0S3ETA00是单个3.3V 1 Gbit（1,107,296,256位）NAND电可擦除和可编程只读存储器（NAND E2PROM）组织为（2048 + 64）字节×64页×1024块。该器件有两个2112字节的静态寄存器，允许程序和读取数据在两者之间传输寄存器和存储器单元阵列以2112字节为增量。擦除操作在单个块中实现单位（128千字节+ 4千字节：2112字节×64页）。TC58NVG0S3E是一种串行型存储器件，它利用I / O引脚来存储地址和数据输入/输出以及命令输入。擦除和程序操作会自动执行该设备最适合应用，如固态文件存储，录音，图像文件存储器等相机和其他需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。
产品特征：TC58NVG0S3ETA00
•组织
X8
存储单元阵列2112×64K×8
注册2112×8
页面大小2112字节
块大小（128K + 4K）字节
•模式
读取，复位，自动页面编程，自动块擦除，状态读取，页面复制，
多页程序，多块擦除，多页复制，多页读取
•模式控制
串行输入/输出
命令控制
•有效块数
最少1004个街区
最多1024块
• 电源
VCC = 2.7V至3.6V
•访问时间
单元阵列最多可注册25μs
串行读取周期25 ns min（CL = 100pF）
•编程/擦除时间
自动页面编程300μs/页面典型。
自动块擦除2.5 ms /块典型值。
•工作电流
读取（25 ns周期）最大30 mA。
程序（平均）最大30 mA
擦除（平均）最大30 mA
待机最大50μA
•包装
TSOP I 48-P-1220-0.50（重量：0.53克典型值）
制造商:TC58NVG0S3ETA00
Toshiba
产品种类:
NAND闪存
RoHS:
详细信息
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TSOP-48
存储容量:
1 Gbit
接口类型:
Parallel
组织:
128 M x 8
定时类型:
Synchronous
数据总线宽度:
8 bit
电源电压-最小:
2.7 V
电源电压-最大:
3.6 V
电源电流—最大值:
30 mA
最小工作温度:
0 C
最大工作温度:
+ 70 C
封装:
Tray
存储类型:
NAND
产品:
NAND Flash
速度:
25 ns
结构:
Block Erase
商标:
Toshiba Memory
最大时钟频率:
-
湿度敏感性:
Yes
产品类型:
NAND Flash
工厂包装数量:
96
子类别:
Memory & Data Storage
