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2N7002

发布时间:2019/4/15 17:30:00 访问次数:49 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司


产品描述:

2N7002双N通道增强模式场效应晶体管


产品特性:

双N沟道MOSFET

•低导通电阻

•低门限电压

•低输入电容

•快速切换速度

•低输入/输出泄漏

•超小型表面贴装封装

•无铅设计/符合RoHS标准(注2)

•符合AEC-Q101高可靠性标准

•“绿色”设备(注3和4)


机械数据:

案例:SOT-563

•表壳材质:模压塑料。“绿色”成型化合物。

UL可燃性分类等级94V-0

•湿气敏感度:J-STD-020D的1级

•终端连接:见图

•端子:表面处理-哑光锡在合金42或铜上退火

引线框架。可根据MIL-STD-202,方法208进行焊接

•端子:可提供引线轴承端子电镀。看到

订购信息第3页,注8

•标记信息:见第3页

•订购信息:见第3页

•重量:0.006克(近似值)


制造商 DiodesIncorporated 制造商零件编号 2N7002-7-F 描述 MOSFETN-CH60V115MASOT23-3 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 详细描述 表面贴装-N-沟道-pval-2068-115mA(Ta)-370mW(Ta)-SOT-23-3 一般信息 数据列表 2N7002Datasheet;
标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 -
规格 FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 115mA(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 7.5欧姆@50mA,5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V@250μA Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF@25V FET功能 - 功率耗散(最大值) 370mW(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 SOT-23-3 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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