制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 5.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
系列: IRFR
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 1.4 S
下降时间: 31 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 63 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 9.6 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
单位重量: 510 mg
