安森美半导体NxHL080N120SC1 N沟道SiC MOSFET是1200V，80mΩMOSFET，具有出色的开关性能和高可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，并具有紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。NxHL080N120SC1 MOSFET具有高效率，快速工作频率，高速开关，更高的功率密度，更低的EMI和更小的系统尺寸。这些MOSFET采用TO247-3L封装。根据AEC-Q101认证，NVHL080N120SC1 MOSFET符合汽车级要求。
特征 在TJ= 150°C时为1200V VDSS 80mΩ漏极 - 源极导通电阻（RDS（on））（典型值） 20A连续漏极电流（ID）（最大值） 低电容高速开关 100％UIL测试 工作结温范围： -55°C至150°C（对于NTHL080N120SC1） -55°C至175°C（对于NVHL080N120SC1） 无铅且符合RoHS标准 应用 NVHL080N120SC1： 汽车辅助电机驱动 汽车车载充电器 用于电动汽车（EV）/混合动力电动汽车（HEV）的汽车DC / DC转换器 NTHL080N120SC1： 工业电机驱动 UPS 升压逆变器 Photo-Voltaic（PV）充电器NxHL080N120SC1性能图
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