单场效应管MOSFET晶体管型号：2N7002LT1G
品牌：ON
封装：SOT-23
批次：18+
描述：
2N7002LT1G是一款60V N沟道小信号MOSFET, 功耗为300mW, 连续漏极电流为115mA。
60VDC漏极至栅极电压
417°C/W热阻, 结至环境
±20VDC栅-源电压
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 115mA
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS（上）: 7.5ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压 Vgs: 2.5V
功耗 Pd: 200mW
晶体管封装类型: SOT-23
针脚数: 3引脚
工作温度最高值: 150°C
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