MASW-011107-DIEGaAs SPDT非反射开关

MASW-011107-DIE GaAs SPDT非反射开关 MACOM的MASW-011107-DIE采用其成熟的0.5μm低栅极滞后pHEMT工艺制造

MASW-011107-DIE GaAs SPDT非反射开关的图像" width="200" src="https://www.digikey.com.cn/-/media/Images/Product%20Highlights/M/Macom%20Technology%20Solutions/MASW%20011107%20DIE%20GaAs%20SPDT%20Non%20Reflective%20Switch/macom-masw-011105-tr0500-gaas-spdt-switch-200.jpg?ts=ae343132-9783-4192-85df-eed5cbd96469&la=zh-CN-RMB" title="MACOM的MASW-011107-DIE GaAs SPDT非反射开关" style="float:right;margin:0px 0px 10px 15px;max-width:100%;height:auto;" />MACOM的MASW-011107-DIE是一款多功能，宽带，无反射的SPDT开关，提供裸芯片部件。该开关工作在DC至26.5 GHz，提供<2.0 dB插入损耗和> 40 dB隔离。宽带性能与非常快速的切换和出色的建立时间相结合，使该器件成为许多应用的理想选择，包括测试和测量，EW和宽带通信系统。MASW-011107-DIE采用MACOM成熟的0.5μm低栅极滞后pHEMT工艺制造。这种强大的工艺具有全表面钝化功能，可实现高性能和高可靠性。DIE形状尺寸为1.3mm×0.85mm×0.1mm。

特征 宽带性能 低插入损耗：@ 20 GHz时为1.3 dB 高隔离度：20 GHz时为46 dB 切换速度快 非反射配置 超低直流功耗 尺寸：1.3毫米x 0.85毫米x 0.1毫米 符合RoHS标准