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IRFB4229PBF晶体管-FET,MOSFET。全新原装正品现货,假一赔百!

发布时间:2019/3/12 10:57:00 访问次数:83 发布企业:深圳市诺美思科技有限公司

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数据列表 IRFB4229PBF;
标准包装 1,000 包装 管件 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET®
规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 46A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 46 毫欧 @ 26A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 110nC @ 10V Vgs(最大值) ±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4560pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 330W(Tc) 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-220AB 封装/外壳 TO-220-3

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