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IKW25N120H3晶体管-UGBT,MOSFET-单,原装现货,假一赔百!

发布时间:2019/3/12 10:39:00 访问次数:72 发布企业:深圳市诺美思科技有限公司

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数据列表 IKW25N120H3;
标准包装 240 包装 管件 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 TrenchStop®
规格 IGBT 类型 沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm) 100A 不同Vge,Ic 时的Vce(on) 2.4V @ 15V,25A 功率 - 最大值 326W 开关能量 2.65mJ 输入类型 标准 栅极电荷 115nC 25°C 时 Td(开/关)值 27ns/277ns 测试条件 600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间(trr) 290ns 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3

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