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在7nm EUV工艺上成功完成流片，证明了新工艺新技术的可靠和成熟，为后续量产打下了坚实基础。相比台积电第一代7nm深紫外光刻(DUV)技术，台积电宣称可将晶体管密度提升20%，同等频率下功耗可降低6-12%。而7nm之后，台积电下一站将是5nm(CLN5FF/N5)，将在多达14个层上应用EUV，号称其可比初代7nm工艺的晶体管密度提升80%，芯片面积缩小45%，频率提升15%，功耗降低20%。
牵引电机控制器将直流电池电压转换成多相交流电，从而以驾驶员要求的速度和加速度驱动电动和混合动力车辆的牵引电机。为了监控电机状态，检测驱动电流，以及可靠地计算并应用所需的扭矩能量，需要复杂的系统控制。
恩智浦与VEPCO Technologies, Inc.合作设计了一个支持ASIL-D的高压电源控制参考平台和电机控制变频器原型。在原型设计中，该平台控制一个集成电流和温度检测的Fuji Electric 800V硅IGBT功率模块，以驱动100 kW三相电机。
恩智浦计划利用其系统控制部件、支持软件实现功能安全方案来帮助客户开发基于参考设计平台的电机控制器，而VEPCO Technologies将为该平台上的特定应用和性能开发提供合约系统工程服务。
VEPCO系统工程总监张博士表示：“VEPCO Technologies的深厚电机驱动知识和系统经验与恩智浦全面的汽车产品组合、功能安全产品和工具相结合，为我们的客户提供一个引人注目的动力电机控制器支持平台。我们在动力电机控制器模块平台之上提供的专业工程服务，例如定制应用IP等，将推动该平台满足客户独特的安全和技术要求，并显著缩短产品上市时间，降低开发成本。”
而三星也宣布开始进行7nm LPP(Low Power Plus)工艺芯片的量产工作。三星的7nm LPP采用ASML的EUV光刻机，型号为双工件台NXE:3400B(光源功率280W)，日产能1500片。在技术指标上，对比10nm FinFET，三星7nm LPP可实现面积能效提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。目前已知，高通新一代的5G基带会采用三星的7nm LPP工艺。
这些代工巨头们在先进制程持续竞赛，意味着EUV工艺就要正式产业化，这为打拼20多年的ASML带来了全新的曙光，迎来了开挂态势。
而在ASML公司Q3的光刻机销售中，韩国公司占比33%，我国台湾公司占比30%，大陆公司占比18%，前一个季度中大陆公司占比是19%，不过Q3季度中台湾公司占比从18%增长到了30%，韩国公司占比从35%降至33%。
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