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IRFR3710ZTRPBF分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET-单

发布时间:2018-10-11 16:49:00 访问次数:88 发布企业:深圳市宏世佳电子科技有限公司

全新原装,公司现货销售

属性:

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 42A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 18 毫欧 @ 33A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 100nC @ 10V Vgs(最大值) ±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 140W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 D-Pak

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