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晶体管FQA6N90CMOSFET

发布时间:2018-10-9 14:44:00 访问次数:64 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

FQA6N90C介绍:

描述 MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

制造商标准提前期 10 周

详细描述 通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET®

包装 管件

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 900V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.3 欧姆 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V

Vgs(最大值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1770pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 198W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-3PN

封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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无论多么优良的电子管,都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因,晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍,称得起永久性器件的美名。晶体管是非常有优势的。


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