IS43LR16640A-6BLI是1073,741,824位CMOS移动双数据速率同步DRAM，由4组16777,216字组成x 16位。
IS43LR16640A-6BLI产品采用双数据速率体系结构，实现高速运行。数据输入/输出信号被传输在16位总线上。双数据速率体系结构本质上是一个2N预取体系结构，具有一个用于传输两个数据的接口每个时钟周期的单词在I/O引脚。该产品提供了完全同步的操作，参考了时钟的上升和下降边缘。
IS43LR16640A-6BLI数据路径是内部管道和2n位预取，以获得非常高的带宽。所有输入和输出电压电平都是
兼容LVCMOS
特性
•JEDEC标准1.8V电源。
•VDD = 1.8V, VDDQ = 1.8V
•四个内部银行同时运营
•MRS cycle与地址关键程序
- CAS延时2,3(时钟)
-突发长度(2,4,8)
-突发类型(顺序和交错)
•全差分时钟输入(CK， /CK)
•除数据和DM外的所有输入都在上升时采样
系统时钟的边缘
•数据频闪两边的数据I/O事务
•每字节数据的双向数据选通(DQS)
•DM只用于写屏蔽
•边缘对齐的数据和数据频闪输出
•中心对齐数据和数据频闪输入
•64ms刷新周期(8K周期)
•自动和自动刷新
•并发自动预充
•最大时钟频率可达200MHZ
•最大数据速率可达400Mbps/pin
•省电支持
- PASR(部分数组自刷新)
-自动TCSR(温度补偿自刷新)
-深度电源下降模式
-可编程驱动强度控制的全部强度
或者1/2 1/4或者1/8
•LVCMOS兼容的输入/输出
•60球FBGA包装
IS43LR16640A-6BLI
制造商：
ISSI
说明：
动态随机存取存储器 1G, 1.8V, 166Mhz 64Mx16 Mobile DDR
制造商: ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型: SDRAM Mobile - LPDDR1
数据总线宽度: 16 bit
组织: 64 M x 16
封装 / 箱体: BGA-60
存储容量: 1 Gbit
最大时钟频率: 166 MHz
访问时间: 6 ns
电源电压-最大: 1.95 V
电源电压-最小: 1.7 V
电源电流—最大值: 75 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: IS43LR16640A
封装: Tray
商标: ISSI
安装风格: SMD/SMT
工作电源电压: 1.8 V
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 300
子类别: Memory & Data Storage
