产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V to 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 23 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK40A06N1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g
