ra60h4452m1是60-watt RF的MOSFET放大器模块12.5-volt移动电台在向工作在440-520-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进入=0V),只有一小漏电流漏极和标称输出信号(Pout=60W)衰减到60 dB.输出功率和漏电流增加为栅极电压升高.输出功率和漏电流大幅增加，与周围0V（***低）栅电压.额定输出功率变为可用状态，在VGG是4V（典型值），5V（）.在VGG=5V,的典型栅极电流5mA.This模块设计用于非线性调频调制，但也可以用于线性调制通过设置静态漏电流与栅极电压和控制输入与输出功率权力.
特征 •增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V) • Pout>60W,ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW •宽带频率范围：440-520MHz •金属屏蔽结构，使得虚假的改进辐射简单 •低功耗控制电流IGG=5mA (typ) @ VGG=5V •模块尺寸：67 x 18 x 9.9 mm •线性操作有可能通过设置静态漏目前同门电压和输出功率控制与输入功率
RA06H8285MB是6-watt RF的MOSFET放大器模块12.5-volt移动电台在向工作在820-851-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进入=0V),只有一小漏电流排水和输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率和漏电流增加门极电压上升.与周围4V（***低），输出功率和电压门漏电流大幅增加.额定输出功率变在4.5V（典型值）和5V（）提供.在VGG=5V,的典型栅极电流1 mA.该模块是专为非线性调频调制，但可能也可用于线性调制通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制输入功率.
特征 •增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V) • Pout>6W,ηT>35% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=1mW •宽带频率范围：820-851MHz •低功耗控制电流IGG=1mA (typ)在VGG=5V •模块尺寸：60.5 x 14 x 6.4 mm •线性操作有可能通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制与输入功率
