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晶体管SI4925BDY-T1-E3FET

发布时间:2018-9-14 11:40:00 访问次数:61 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

SI4925BDY-T1-E3介绍:

描述 MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

制造商标准提前期 33 周

详细描述 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 5.3A 1.1W 表面贴装 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 带卷(TR)

零件状态 在售

FET 类型 2 个 P 沟道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 7.1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -

功率 - 最大值 1.1W

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装 8-SO

基本零件编号 SI4925

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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威世(VISHAY)集团 威世通用半导体(中国)有限公司坐落于天津经济技术开发区泰丰工业园,公司为美国独资企业。威世通用半导体(中国)有限公司(简称VGSC)成立于1995 年5 月1 日。

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