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SI4909DY-T1-GE3晶体管

发布时间:2018-9-14 10:05:00 访问次数:68 发布企业:深圳市嘉轩电子科技有限公司

数据列表 SI4909DY;

标准包装 2,500

包装 标准卷带

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

系列 TrenchFET®


规格

FET 类型 2 个 P 沟道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 27 毫欧 @ 8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V

功率 - 最大值 3.2W

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装 8-SO


TDA7231A

TDA7231A

AD736JNZ

AD736JNZ

MIC2506YM

MIC2506YM

MIC2506YM

MT88L89AN

TLV70033DCKT

GT911

B550C-13-F

MBRA340T3G

1N4148W-7-F

MMBZ27VCLT1G

MMSZ5250BT1G

MMSZ5250BT3G

BSS138LT1G

MMSZ5250B-7-F

SI4909DY-T1-GE3


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